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　　存储三巨头SK海力士◈◈✿、三星和美光必发◈◈✿，正加速开发16-Hi HBM内存芯片◈◈✿，目标是在2026年第四季度向NVIDIA供货◈◈✿。

　　据悉二宫优必发◈◈✿，NVIDIA已向供应商提出需求必发88BIFA◈◈✿，◈◈✿，希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片◈◈✿，用于其顶级AI加速器bf88必官网登入口◈◈✿。

　　一位行业人士表示◈◈✿：“继12-Hi HBM4之后◈◈✿，英伟达又提出了16-Hi的供货需求◈◈✿，因此我们正在制定非常快速的开发时间表必发bifa◈◈✿，◈◈✿。性能评估最早可能在明年第三季度之前开始◈◈✿。”

　　16-Hi HBM技术尚未实现商业化必发◈◈✿，其开发面临诸多技术难题二宫优◈◈✿，尤其是随着堆叠层数的增加bifa·必发◈◈✿，◈◈✿，DRAM堆叠的复杂性呈指数级上升二宫优◈◈✿。

　　根据JEDEC标准二宫优◈◈✿，HBM4的总厚度限制在775?m必发◈◈✿，要在这一有限空间内塞进16层DRAM芯片◈◈✿，意味着晶圆厚度必须从目前的50?m压缩至30?m左右必发bf88唯一官网登录◈◈✿，而如此薄的晶圆在加工中极易损坏bf88必全站登入◈◈✿。◈◈✿。

　　此外◈◈✿，粘合工艺也是竞争焦点二宫优二宫优◈◈✿，目前三星与美光主要采用 TC-NCF技术◈◈✿，而SK海力士则坚持MR-MUF工艺◈◈✿。

　　为了增加堆叠层数必发◈◈✿，粘合材料的厚度必须缩减到10?m以下◈◈✿，如何在极致轻薄化后依然能有效散热◈◈✿，是三家企业必须跨越的“大山”◈◈✿。

　　16-Hi被视为半导体行业的一道分水岭◈◈✿，根据行业蓝图必发◈◈✿，下一代HBM5的堆叠层数也仅能达到16层必发◈◈✿，预计到2035年的HBM7才会实现20层和24层堆叠◈◈✿，而未来的HBM8也将止步于24层堆叠◈◈✿。